面心立方金屬中擴(kuò)展位錯分類如表5-9。表5-9面心立方晶體中的擴(kuò)展位錯1.切變滑移型層錯及不全位錯分析面心立方晶體的層錯面為{111},表5-10給出了這類擴(kuò)展位錯分析的實(shí)例。它很好地說明了:(1)分析擴(kuò)展位錯時(shí)需將不全位錯和層錯的...[繼續(xù)閱讀]

    層錯能是形成單位面積層錯所需之能量,單位是10-7J/cm2,記作γ。有時(shí)定義為形成單位面積層錯給系統(tǒng)增加之能量。系統(tǒng)能量增加是由于層錯破壞了晶體的正常周期性,使電子發(fā)生額外散射。但層錯僅破壞原子的次近鄰關(guān)系,沒有破壞最...[繼續(xù)閱讀]

    1.弱束成像的衍射原理位錯導(dǎo)致晶體畸變,表現(xiàn)為位錯芯區(qū)附近的晶面發(fā)生旋轉(zhuǎn)和此處反射面間距的微小改變。而成像時(shí)畸變中心晶體旋轉(zhuǎn)的作用是主要的,它影響芯區(qū)附近滿足布拉格條件的情況,而局部晶面間距的改變,作用十分有限...[繼續(xù)閱讀]

    1.操作步驟實(shí)用中有g(shù)/4g、g/3g、g/2g等弱束暗場像,和-g/+g對稱弱束明場像等類型的弱束像。它們的成像反射相對于厄瓦球的位置,如圖5-15所示。以g/3g為例,說明其操作步驟:(1)成像模式下,選擇感興趣的視場移至屏中心,轉(zhuǎn)至衍射模式,微傾...[繼續(xù)閱讀]

    界面(包括晶界與相界)和表面(它也是一種界面,即固/氣相界面)的研究,是近代材料科學(xué)研究的前沿?zé)狳c(diǎn)之一?？茖W(xué)研究和工程應(yīng)用實(shí)踐均表明:材料的物理性能(如電磁性能、光學(xué)性能)、力學(xué)性能(如強(qiáng)度、塑性與斷裂韌性)以及化學(xué)和...[繼續(xù)閱讀]

    晶界位錯模型最早由Burgers[51]于1939年和Bragg[52]于1940年提出來的。隨后經(jīng)過Frank[49]于1950年和Bilby[50]于1955年的發(fā)展,得以逐步完善。但是位錯模型只適用于小角晶界。對于大角晶界,按照這個(gè)模型,位錯密度勢必高到使位錯芯區(qū)發(fā)生重疊...[繼續(xù)閱讀]

    設(shè)想結(jié)構(gòu)相同但取向不同的相鄰兩個(gè)晶體,按各自的點(diǎn)陣周期相向擴(kuò)展,或者說同一晶體的一部分相對于另一部分,以某一晶體學(xué)方向?yàn)檩S,轉(zhuǎn)動一個(gè)角度,此時(shí)兩者將彼此貫穿,在貫穿區(qū),兩種點(diǎn)陣的原子將按一定規(guī)律周期地出現(xiàn)在位置相...[繼續(xù)閱讀]

    O—點(diǎn)陣(O—Latice)的“O”,理解為英文“Origin”的原點(diǎn)之意,它是CSL點(diǎn)陣的一種擴(kuò)充。從構(gòu)成CSL點(diǎn)陣的圖形中,如圖6-6,可以看到除實(shí)線圍成的CSL點(diǎn)陣外,還可以看到分布其中的許多位置如“P”點(diǎn)(只是說位置,此處不一定有陣點(diǎn)),其周圍有...[繼續(xù)閱讀]

    參看圖6-8,將簡單立方點(diǎn)陣的(001)晶面繞[001]軸旋轉(zhuǎn)28.1°,轉(zhuǎn)動前陣點(diǎn)如黑點(diǎn)所示,轉(zhuǎn)動后陣點(diǎn)如圈點(diǎn)所示。于是構(gòu)成了如圖所示蹬以粗實(shí)線構(gòu)成的CSL點(diǎn)陣,∑=17。仔細(xì)觀察新的重位點(diǎn)陣中,原始的黑點(diǎn)和轉(zhuǎn)動終止后的位置(圈點(diǎn))又都落在一...[繼續(xù)閱讀]

    在對大角晶界的原子模擬研究中,發(fā)現(xiàn)在界面的一定范圍內(nèi)(通常是幾個(gè)原子層內(nèi)),不論是對稱傾斜晶界或非對稱傾斜晶界,原子的堆垛形成了一定的三維結(jié)構(gòu)的多面體排列,這種多種體總是7種Bernal多面體之一(圖6-10)。形成晶界時(shí)的轉(zhuǎn)軸...[繼續(xù)閱讀]