將交流電壓通過整流濾波電路及DC-DC開關變換器,并借助反饋環(huán)節(jié)得到穩(wěn)定直流輸出電壓的開關型穩(wěn)壓電路。其原理框圖如圖所示。圖中輸入和輸出端都加有噪聲濾波器。電容濾波全波整流電路中,開機時有一大的充電電流流過整流管...[繼續(xù)閱讀]
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將交流電壓通過整流濾波電路及DC-DC開關變換器,并借助反饋環(huán)節(jié)得到穩(wěn)定直流輸出電壓的開關型穩(wěn)壓電路。其原理框圖如圖所示。圖中輸入和輸出端都加有噪聲濾波器。電容濾波全波整流電路中,開機時有一大的充電電流流過整流管...[繼續(xù)閱讀]
國際單位制(SI)中電流的單位。安培簡稱安,符號是A。它是國際單位制的基本單位之一(見電學和磁學量單位制),也是磁動勢的單位。在真空中,截面積可忽略的兩根相距1m的無限長平行圓直導線內(nèi)通以等量恒定電流時,若導線間相互作用...[繼續(xù)閱讀]
磁動勢的單位。在磁路計算的一些場合,磁動勢用線圈的匝數(shù)與線圈中電流的安培數(shù)的乘積來表示。國際單位制(SI)中電流的單位是安培,因此電氣工程中以安匝作為磁動勢的單位。...[繼續(xù)閱讀]
絕緣間隙在多次施加沖擊電壓時,其中半數(shù)導致?lián)舸┑碾妷骸S糜诤饬拷^緣間隙的絕緣強度。要使絕緣間隙擊穿,需要加足夠高的電壓以及足夠長的電壓作用時間。絕緣間隙擊穿的放電時間包括電壓上升達到穩(wěn)態(tài)擊穿電壓所需的時間和...[繼續(xù)閱讀]
表征均勻電場氣體間隙的擊穿電壓與間隙距離、氣壓之間的關系。該定律說明在均勻電場下,氣體間隙的擊穿電壓Ub只與間隙氣壓p和距離d的乘積pd有關,即Ub=f(pd)(1)式(1)表示的曲線稱為巴申曲線。1880年W.德拉路(W.delaRue)和H.W.米勒(H.W...[繼續(xù)閱讀]
利用先進的科學技術(shù)、辦公設備和計算機系統(tǒng),為提高辦公效率而構(gòu)成的服務于辦公業(yè)務的人機信息系統(tǒng)。它綜合運用計算機技術(shù)和通信技術(shù),將數(shù)據(jù)、文字、圖形、圖像和語音等功能組合在一個系統(tǒng)中,完成各項辦公業(yè)務,其目的是改...[繼續(xù)閱讀]
導電能力介于金屬導體和絕緣體之間的固體材料。通常規(guī)定在室溫下,電阻率的數(shù)量級為10-6~108Ω·m,而且電阻率值強烈地受到材料的結(jié)構(gòu)和摻雜狀況以及周圍環(huán)境(溫度、電場、磁場、光照、壓強、核輻射等)影響的固體材料為半導體...[繼續(xù)閱讀]
用半導體大規(guī)模集成存儲器芯片作為存儲媒體的,能對數(shù)據(jù)信息進行存取的存儲器件。多用作計算機可尋址存儲器。20世紀70年代以來,它逐步取代磁芯存儲器而在計算機的高速存儲方面得到廣泛應用。根據(jù)功能特性,半導體存儲器可分...[繼續(xù)閱讀]
具有兩個電極和不對稱電流-電壓特性的半導體器件。它的主要特點是具有單向?qū)щ娦?。所用的材料有硅、鍺和化合物半導體。利用不同的材料、摻雜濃度、幾何結(jié)構(gòu),可以制成不同用途、特性各異的半導體二極管,如半導體整流二極...[繼續(xù)閱讀]
在電路中工作在開關狀態(tài)的半導體二極管。由于它用于開關電路,要求它的開關速度快。二極管的開關速度取決于結(jié)電容上存儲電荷的建立或消失的速度。低頻整流管因PN結(jié)面積大,結(jié)電容大,故存儲電荷多,由正向?qū)ǖ椒聪蚪刂沟姆?..[繼續(xù)閱讀]