低能電子轟擊引起氧化鋁鈍化膜BCMOS傳感器暗電流變化研究
紅外技術(shù)
頁(yè)數(shù)： 5 2024-03-20
摘要： 針對(duì)低能電子（電子能量為300～1500 e V）轟擊引起氧化鋁鈍化層BCMOS(Back-thinned Complementary Metal-Oxide-Semiconductor,BCMOS)圖像傳感器暗電流增加問題，設(shè)計(jì)了電子轟擊BCMOS圖像傳感器實(shí)驗(yàn)，經(jīng)統(tǒng)計(jì)發(fā)現(xiàn)，對(duì)于厚度為10 nm的氧化鋁鈍化層BCMOS圖像傳感器，轟擊能量大于600 eV時(shí)暗電流增加速率明顯；... （共5頁(yè)）
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