基于高壓SiC MOSFET模塊橋式電路串擾抑制

摘要： 碳化硅(SiC)器件開關速度快,在高壓條件下串擾現(xiàn)象明顯,串擾尖峰容易引起橋臂直通,損壞器件。此處基于橋式電路,考慮了SiC寄生參數(shù)的影響,分析了橋臂串擾現(xiàn)象的原因。提出了一種有源箝位的電路,可以有效抑制橋臂串擾尖峰,并且可以減小驅動電阻,減小開關損耗。此處搭建了橋式電路實驗平臺,通過實驗驗證了該方案的有效性。在相同電阻條件下可以減小62%串擾尖峰。 （共4頁）