基于第一性原理研究雜質補償對硅光電性能的影響

摘要： 通過磷(P)和硼(B)共摻雜在硅禁帶中構建了P~+/B~–局域態(tài)能級,形成了具有雜質補償結構的硅.采用基于密度泛函理論框架下的第一性原理研究了雜質補償硅(n/p-Sic)的電子態(tài)密度、介電函數(shù)和折射率等光電性能.態(tài)密度研究表明,相同濃度P和B摻雜(12.5%)的n-Si和p-Si被完全雜質補償后,費米能級位于兩相鄰態(tài)密度峰構成的谷底,且態(tài)密度不為零.在介電函數(shù)和折射率研究中,發(fā)... （共10頁）