一種新型可調(diào)驅(qū)動電壓的SiC/Si混合開關驅(qū)動電路
中國電機工程學報
頁數(shù)： 13 2023-10-20
摘要： 為提高碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管(silicon carbide metal oxide semiconductor filed effect transistor,SiC-MOSFET)與硅基絕緣柵極雙極晶體管(silicon insulated gate bipolar transistor,Si-IGBT)并聯(lián)混合開關(SiC/Si hybrid switch,S... （共13頁）
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