SiC材料輻照性能的熱釋光表征分析研究
原子能科學(xué)技術(shù)
頁(yè)數(shù)： 8 2024-06-11
摘要： 碳化硅（Si C）在航空航天、核裂變和核聚變反應(yīng)堆等高輻照環(huán)境中有著廣泛應(yīng)用。由3c-SiC包覆層構(gòu)成的TRISO燃料顆粒已商業(yè)化并應(yīng)用于先進(jìn)的高溫氣冷堆。其中35μm厚的3c-SiC包覆層是承受內(nèi)壓、阻擋裂變產(chǎn)物釋放和高效導(dǎo)出核芯熱能的關(guān)鍵層，是保證高溫氣冷堆安全的關(guān)鍵屏障之一。本文利用熱釋光（TL）分析對(duì)3c-SiC材料展開研究，實(shí)驗(yàn)證明SiC材料的發(fā)光峰強(qiáng)度隨輻照劑量升高... （共8頁(yè)）
APP 