大面積氘/氚靶制備及中子產(chǎn)額分析

摘要： 大面積氘/氚靶是實(shí)現(xiàn)高產(chǎn)額強(qiáng)流中子源的關(guān)鍵部件，是氘、氚中子源廣泛應(yīng)用的前提條件。本工作采用磁控濺射鍍膜與多弧離子鍍結(jié)合的方式，制備以銅或鉬為基底、直徑大于500 mm的大面積鈦膜。針對(duì)制備的鈦膜，采用自研的氘/氚靶生產(chǎn)系統(tǒng)，經(jīng)過除氣、凈化、高溫吸氘/氚、尾氣回收等流程，生產(chǎn)了氘/氚鈦原子比大于1.85的氘靶、氚靶，采用Ф22 mm的小靶片，進(jìn)行氘束流加速器中子產(chǎn)額測(cè)試，研制的...