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SiC探測器的中子和γ性能測試

核技術(shù) 頁數(shù): 6 2024-03-15
摘要: 第三代SiC半導(dǎo)體探測器具有體積小、響應(yīng)時(shí)間快、中子/伽馬(n/γ)甄別容易等優(yōu)點(diǎn),廣泛應(yīng)用于反應(yīng)堆堆芯劑量監(jiān)測。本文針對自研的第三代Si C半導(dǎo)體探測器,采用電子束蒸發(fā)真空鍍膜的技術(shù)將中子轉(zhuǎn)換層材料6LiF(6Li豐度為95%)噴鍍到SiC基底上,厚度為25μm,實(shí)現(xiàn)了中子轉(zhuǎn)換層厚度優(yōu)化。利用241Am α放射源(活度9.37×10~3 Bq)開展α粒子響應(yīng)信號幅度的測量,并...

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