5.3.1 概述
電子衍襯

        位錯(cuò)密度是研究材料形變過(guò)程和微觀結(jié)構(gòu)對(duì)力學(xué)性能影響的重要參數(shù)。測(cè)定位錯(cuò)密度的方法有二,一是X-射線方法,它是根據(jù)位錯(cuò)密度對(duì)X-射線展寬的函數(shù)關(guān)系建立起來(lái)的方法。它雖不能在測(cè)量時(shí)同時(shí)看到位錯(cuò),但它的結(jié)果反映了一定的    （本文共 488 字 ）    [閱讀本文] >>