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RDRAM（Rambus DRAM）是美國的RAMBUS公司開發(fā)的一種內存。與DDR和SDRAM不同，它采用了串行的數(shù)據傳輸模式。在推出時，因為其徹底改變了內存的傳輸模式，無法保證與原有的制造工藝相兼容，而且內存廠商要生產RDRAM還必須要交納一定專利費用，再加上其本身制造成本，就導致了RDRAM從一問世就高昂的價格讓普通用戶無法接受。而同時期的DDR則能以較低的價格，不錯的性能，逐漸成為主流，雖然RDRAM曾受到英特爾公司的大力支持，但始終沒有成為主流。
RDRAM的數(shù)據存儲位寬是16位，遠低于DDR和SDRAM的64位。但在頻率方面則遠遠高于二者，可以達到400MHz乃至更高。同樣也是在一個時鐘周期內傳輸兩次次數(shù)據，能夠在時鐘的上升期和下降期各傳輸一次數(shù)據，內存帶寬能達到1.6Gbyte/s。
普通的DRAM行緩沖器的信息在寫回存儲器后便不再保留，而RDRAM則具有繼續(xù)保持這一信息的特性，于是在進行存儲器訪問時，如行緩沖器中已經有目標數(shù)據，則可利用，因而實現(xiàn)了高速訪問。另外其可把數(shù)據集中起來以分組的形式傳送，所以只要最初用24個時鐘，以后便可每1時鐘讀出1個字節(jié)。一次訪問所能讀出的數(shù)據長度可以達到256字節(jié)。
直接型Rambus動態(tài)隨機存取存貯器（DRDRAM）提供2字節(jié)（16位）總線而不是DRAM的8位總線。以800百萬赫（一秒八億個周期）的隨機存取儲存器速度，最高數(shù)據傳輸率是一秒十六億個字節(jié)。直接型Rambus使用流水線流操作從隨機存取儲存器移動數(shù)據到比較靠近微處理器或顯示器水平的緩沖存貯器。有八個操作可能是同時進行的。Rambus被設計適合現(xiàn)有的主板標準。被插入主板連接之內的成份被叫做Rambus嵌入式存貯器模數(shù)（RIMM）。它們能代替?zhèn)鹘y(tǒng)的雙重嵌入式存貯器模數(shù)。
因為不能單條用必須成對使用?，F(xiàn)已經退出市場。DRDRAM的一個可替換的選擇是SyncLink DRAM（SDRAM）。
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