DRAM

工作原理

　　動態(tài)RAM的工作原理動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列地址引腳復用來組成的。

　　3管動態(tài)RAM的基本存儲電路如右圖所示。在這個電路中，讀選擇線和寫選擇線是分開的，讀數(shù)據(jù)線和寫數(shù)據(jù)線也是分開的。

　　寫操作時，寫選擇線為“1”，所以Q1導通，要寫入的數(shù)據(jù)通過Q1送到Q2的柵極，并通過柵極電容在一定時間內保持信息。

　　讀操作時，先通過公用的預充電管Q4使讀數(shù)據(jù)線上的分布電容CD充電，當讀選擇線為高電平有效時，Q3處于可導通的狀態(tài)。若原來存有“1”，則Q2導通，讀數(shù)據(jù)線的分布電容CD通過Q3、Q2放電，此時讀得的信息為“0”，正好和原存信息相反；若原存信息為“0”，則Q3盡管具備導通條件，但因為Q2截止，所以，CD上的電壓保持不變，因而，讀得的信息為“1”。可見，對這樣的存儲電路，讀得的信息和原來存入的信息正好相反，所以要通過讀出放大器進行反相再送往數(shù)據(jù)總線。

結構

　　在半導體科技極為發(fā)達的臺灣，內存和顯存被統(tǒng)稱為記憶體（Memory），全名是動態(tài)隨機存取記憶體（Dynamic Random Access Memory，DRAM）?；驹砭褪抢秒娙輧却鎯?span id="vmdlmnb" class='hrefStyle'>電荷的多寡來代表0和1，這就是一個二進制位元（bit），內存的最小單位。

　　DRAM的結構可謂是簡單高效，每一個bit只需要一個晶體管另加一個電容。但是電容不可避免的存在漏電現(xiàn)象，如果電荷不足會導致數(shù)據(jù)出錯，因此電容必須被周期性的刷新（預充電），這也是DRAM的一大特點。而且電容的充放電需要一個過程，刷新頻率不可能無限提升（頻障），這就導致DRAM的頻率很容易達到上限，即便有先進工藝的支持也收效甚微。隨著科技的進步，以及人們對超頻的一種意愿，這些頻障也在慢慢解決。

發(fā)展過程

　　“上古”時代的FP/EDO內存，由于半導體工藝的限制，頻率只有25MHz/50MHz，自SDR以后頻率從66MHz一路飆升至133MHz，終于遇到了難以逾越的障礙。此后所誕生的DDR1/2/3系列，它們存儲單元官方頻率（JEDEC制定）始終在100MHz-200MHz之間徘徊，非官方（超頻）頻率也頂多在250MHz左右，很難突破300MHz。事實上高頻內存的出錯率很高、穩(wěn)定性也得不到保證，除了超頻跑簡單測試外并無實際應用價值。

　　既然存儲單元的頻率（簡稱內核頻率，也就是電容的刷新頻率）不能無限提升，那么就只有在I/O（輸入輸出）方面做文章，通過改進I/O單元，這就誕生了DDR1/2/3、GDDR1/2/3/4/5等形形色色的內存種類

　　在其他領域的應用

　　1.DRAM Controller Status Register（Address：0x7E001000）

　　DRAM狀態(tài)寄存器，這是一個RO寄存器，用于讀取DRAM的狀態(tài)。

　　實際上，讀到的有用信息就是Controller Status和Memory width。

　　2.DRAM Controller Command Register（Address：0x7E001004）

　　DRAM命令寄存器，設置DRAM的工作狀態(tài)。

　　最開始應該配置為0x4，是處于Configure狀態(tài)。在配置完所有的DRAM之后，將該寄存器設置為0x0，處于運行狀態(tài)。

　　3.Direct Command Register（Address：0x7E001008）

　　DRAM命令寄存器，用于發(fā)送命令到DRAM和訪問DRAM中的MRS和EMRS寄存器。

　　通過該寄存器初始化DRAM，先設置為NOP模式，然后設置為PrechargeAll進行充電，然后設置EMRS和MRS寄存器，一般是這么一個流程。具體的要參見你所使用的DRAM的datasheet。

　　4.Memory Configuration Register（Address：0x7E00100C）

　　DRAM的配置寄存器，這個與需要參照你所使用的DRAM的datasheet。

　　該寄存器肯定是要配的，看看DRAM的datasheet就知道了。