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瀝青光澤的深灰色晶體。熔點1070℃。閃鋅礦結構,常溫下帶寬(Eg=1.35 eV)
磷化銦
indium phosphide InP
分子式: InP
瀝青光澤的深灰色晶體。熔點1070℃。閃鋅礦結構,常溫下帶寬(Eg=1.35 eV)
熔點下離解壓為2.75MPa。極微溶于無機酸。介電常數(shù)10.8。電子遷移率4600cm2/(V·s)??昭ㄟw移率150cm2/(V·s)。具有半導體的特性。由金屬銦和赤磷在石英管中加熱反應制得。用作半導體材料,用于光纖通信技術。
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