磷化銦　　

indium phosphide InP 　　

分子式： InP 　　

瀝青光澤的深灰色晶體。熔點1070℃。閃鋅礦結構，常溫下帶寬（Eg=1.35 eV） 　　

熔點下離解壓為2.75MPa。極微溶于無機酸。介電常數(shù)10.8。電子遷移率4600cm2/(V·s)?？昭ㄟw移率150cm2/(V·s)。具有半導體的特性。由金屬銦和赤磷在石英管中加熱反應制得。用作半導體材料，用于光纖通信技術。