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電力二極管（Power Diode）在20世紀(jì)50年代初期就獲得應(yīng)用，當(dāng)時(shí)也被稱為半導(dǎo)體整流器；它的基本結(jié)構(gòu)和工作原理與信息電子電路中的二極管是一樣的，都以半導(dǎo)體PN結(jié)為基礎(chǔ)，實(shí)現(xiàn)正向?qū)ā⒎聪蚪刂沟墓δ?；電力二極管是不可控器件，其導(dǎo)通和關(guān)斷完全是由其在主電路中承受的電壓和電流決定的。
電力二極管實(shí)際上是由一個(gè)面積較大的PN結(jié)和兩端引線以及封裝組成的，從外形上看，主要有螺栓型和平板型兩種封裝。
重要類型
其主要類型有普通二極管、快恢復(fù)二極管、肖特基二極管。
普通二極管
普通二極管（General Purpose Diode）又稱整流二極管（Rectifier Diode），多用于開關(guān)頻率不高（1kHz以下）的整流電路中。
快速恢復(fù)二極管
恢復(fù)過程很短特別是反向恢復(fù)過程很短（5μs以下）[1]的二極管，也簡稱快速二極管。 工藝上多采用了摻金措施，結(jié)構(gòu)上有的采用PN結(jié)構(gòu)類型，也有的采用對此加以改進(jìn)的PiN結(jié)構(gòu)。
肖特基二極管
以金屬和半導(dǎo)體接觸形成的勢壘為基礎(chǔ)的二極管稱為肖特基勢壘二極管（Schottky Barrier Diode--SBD），簡稱為肖特基二極管。肖特基二極管的優(yōu)點(diǎn)在于：反向恢復(fù)時(shí)間很短（10~40ns），正向恢復(fù)過程中也不會有明顯的電壓過沖；在反向耐壓較低的情況下其正向壓降也很小，明顯低于快恢復(fù)二極管。因此，其開關(guān)損耗和正向?qū)〒p耗都比快速二極管還要小，效率高。肖特基二極管的弱點(diǎn)在于： 當(dāng)反向耐壓提高時(shí)其正向壓降也會高得不能滿足要求，因此多用于200V以下的低壓場合；反向漏電流較大且對溫度敏感，因此反向穩(wěn)態(tài)損耗不能忽略，而且必須更嚴(yán)格地限制其工作溫度。
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